石墨烯分散制備置裝中石墨烯是如何制備的？
點(diǎn)擊次數(shù)：1884 更新時(shí)間：2021-04-19
石墨烯分散制備置裝，石墨烯(Graphene)是一種由碳原子以sp2雜化軌道組成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜，只有一個(gè)碳原子厚度的二維材料。石墨烯目前是世上最堅(jiān)硬的納米材料，幾乎*透明，只吸收2.3%的光；導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)5300W/m，高于碳納米管和金剛石，常溫下其電子遷移率超過15000cm2/Vs，又比納米碳管或硅晶體高，而電阻率只約10-8Ω/m，比銅或銀更低，為世上電阻率最小的材料。石墨烯具有優(yōu)異的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性和力學(xué)強(qiáng)度，其和EP復(fù)配后制成的復(fù)合材料可充分發(fā)揮兩者的優(yōu)勢，表現(xiàn)為復(fù)合材料的導(dǎo)熱性、電磁性、拉伸強(qiáng)度和模量等顯著提高。
石墨烯分散制備置裝，石墨烯是如何制備的？主要有以下幾種：
1.機(jī)械剝離法優(yōu)點(diǎn)：制備成本非常低(幾乎可忽略)，易于學(xué)習(xí)，且此法得到的石墨烯質(zhì)量非常好好，缺陷少，性能優(yōu)異缺點(diǎn)：得到的石墨烯尺寸很小，一般在10-100um之間，而且*不可能大規(guī)模制備。
2.SiC外延生長優(yōu)點(diǎn)：能較大尺寸生長(報(bào)道的有4寸大小的)，且得到的石墨烯性能優(yōu)異缺點(diǎn)：原料成本較高，設(shè)備成本也很高，生長溫度很高(1400°)，一般設(shè)備達(dá)不到，而且也很難生長太大尺寸的石墨烯。
3.氧化石墨還原法優(yōu)點(diǎn)：方法較簡單，原料成本不高，基本沒有設(shè)備成本，且易于規(guī)模制備缺點(diǎn)：此法得到的石墨烯缺陷非常多，電學(xué)、力學(xué)性能都較差。
4.CVD，化學(xué)氣相沉積法優(yōu)點(diǎn)：單次生長尺寸可以很大(將近20寸)，有可能規(guī)模化生產(chǎn)，且生長得到的石墨烯性能很好缺陷少缺點(diǎn)：轉(zhuǎn)移是難題，而且生長出來的一般都是多晶。
